硅片抛光机的根据从哪几个入手分析

　硅片抛光机的根据从哪几个入手分析包括：滚磨、切割、研磨、抛光

滚磨，片前先将硅单晶棒研磨成具有精确直径的单晶棒,再沿单晶棒的晶轴方向研磨出主、次参考面,用氢氟酸、硝酸和冰醋酸的混合液腐蚀研磨面，称为减径腐蚀。

切割 也称切片，把硅单晶棒切成所需外形的硅片（如圆片）的工艺。切割分外圆切割、超声切割、电子束切割和普遍采用的内圆切割等。

研磨 也称磨片，在研磨机上，用白刚玉或金刚砂等配制的研磨液将硅片研磨成具有一定厚度和光洁度的工艺。有单面研磨和双面研磨两种方式。

抛光，为了制备合乎器件和集成电路制作要求的硅片表面，必须进行抛光，以除往残留的损伤层并获得一定厚度的高平整度的镜面硅片。

抛光分机械抛光、化学抛光、电子束抛光、离子束抛光，较普遍采用的是化学机械抛光。化学机械抛光是化学腐蚀和机械磨削同时进行，分为铜离子抛光、铬离子抛光和普遍采用的二氧化硅胶体抛光。二氧化硅胶体抛光是由极细的二氧化硅粉、氢氧化钠（或有机碱）和水配制成胶体抛光液。在抛光过程中，氢氧化钠与硅表面反应天生硅酸钠，通过与二氧化硅胶体的磨削，硅酸钠进进抛光液，两个过程不停顿地同时进行而达到抛光的目的。

根据不同要求，可用一次抛光、二次抛光(粗抛光和精抛光)或三次抛光（粗抛光、中间抛光和精抛光）。为满足超大规模集成电路对表面质量和平整度的要求，已有无蜡抛光和无磨料抛光等新工艺。